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纳米晶合金薄带和磁性片 

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申请/专利权人:株式会社博迈立铖

摘要:本发明提供一种高饱和磁通密度、高导磁率的具有优异磁特性的纳米晶合金薄带。由组成式Fe1‑xAxaSibBcCudMe表示,A为Ni和Co中的至少1种,M为选自Nb、Mo、V、Zr、Hf和W中的至少1种元素,以原子%计,由75.0≤a≤81.0、9.0≤b≤17.5、5.0≤c≤10.0、0.02≤d≤1.5、0.1≤e≤3.5、0≤x≤0.1构成,平均结晶粒径为50nm以下的αFe结晶相以体积率计占40%以上,饱和磁通密度为1.36T以上,剩余磁通密度Br与8000Am磁场的磁通密度B8000之比BrB8000为0.20以上,最大导磁率为4000以上。

主权项:1.一种纳米晶合金薄带,其由组成式Fe1-xAxaSibBcCudMe表示,A为Ni和Co中的至少1种,M为选自Nb、Mo、V、Zr、Hf和W中的至少1种元素,以原子%计,由75.0≤a≤81.0、9.0≤b≤18.0、5.0≤c≤10.0、0.02≤d≤1.2、0.1≤e≤1.5、0≤x≤0.1构成,平均结晶粒径为50nm以下的αFe结晶相以体积率计占40%以上,饱和磁通密度为1.36T以上,剩余磁通密度Br与8000Am磁场的磁通密度B8000之比BrB8000为0.20以上,最大导磁率为4000以上。

全文数据:

权利要求:

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