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申请/专利权人：天津大学
摘要：本发明公开一种大满阱容量的TOF图像传感器像素结构，包括钳位光电二极管PPD、传输栅TG、传输栅TX、复位晶体管RST、临时存储节点SD、浮动扩散节点FD；两个传输栅TG及两个临时存储节点SD各自对称，每个传输栅TG用于将电荷转移至连接的临时存储节点SD存储；两个传输栅TX及两个浮动扩散节点FD各自对称布置，每个传输栅TX用于将连接的临时存储节点SD中存储的电荷转移至相接的浮动扩散节点FD；所述临时存储节点SD包括梯度浓度变化的N型掺杂区域。本发明能提升临时存储节点SD的满阱容量，同时促进电荷从临时存储节点SD转移至浮动扩散节点FD，提高了电荷转移效率和成像质量。
主权项：1.大满阱容量的TOF图像传感器像素结构，包括钳位光电二极管PPD、传输栅TG、传输栅TX、复位晶体管RST、临时存储节点SD、浮动扩散节点FD；其特征在于，两个传输栅TG及两个临时存储节点SD各自对称，每个传输栅TG用于将电荷转移至连接的临时存储节点SD存储；两个传输栅TX及两个浮动扩散节点FD各自对称布置，每个传输栅TX用于将连接的临时存储节点SD中存储的电荷转移至相接的浮动扩散节点FD；所述临时存储节点SD包括梯度浓度变化的N型掺杂区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 大满阱容量的TOF图像传感器像素结构
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