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申请/专利权人：苏州博牛电气有限公司

摘要：本实用新型公开了一种无触点电子继电器及其安置外壳，属于继电器技术领域，具体包括电压输入模块、控制信号输入模块、常开模块和常闭模块，常开模块和常闭模块分别包括有相互连接的MOS管和三极管，在控制信号的作用下，实现常开模块或常闭模块中MOS管和三极管的导通和关断，进而实现继电器所控制负载的工作和停止。本实用新型的电子继电器开关器件通过采用成本低、开关速度快、通态压降小的MOS管和三极管之间的相互配合，实现了继电器所控制负载的工作和停止，不再需要机械触点式的控制方式，有效的避免了拉弧灼烧导致触点粘连或氧化接触不良等电路故障，提高了继电器的使用寿命。

主权项：1.一种无触点电子继电器，其特征在于：包括电压输入模块、控制信号输入模块、常开模块和常闭模块；所述电压输入模块接入电路电源引脚VDD以用于输入电压信号；所述控制信号输入模块包括一个隔离光耦G1，所述隔离光耦G1的输入端二极管的正负极分别接入控制信号输入引脚IN+和IN-，所述隔离光耦G1的输出端分别与常开模块和常闭模块相连；所述常开模块包括PNP三极管Q4、NPN三极管Q7、P-MOS管Q5、N-MOS管Q9、二极管D2、常开通路负载连接引脚NO和常开通路负载接地引脚NO_GND，所述三极管Q4的发射极接引脚VDD，三极管Q4的基极接隔离光耦G1的集电极端，三极管Q4的集电极接三极管Q7的基极，三极管Q7的集电极接P-MOS管Q5的栅极，三极管Q7的发射极接地；所述P-MOS管Q5的漏极接引脚NO，P-MOS管Q5的源极接引脚VDD，所述N-MOS管Q9的漏极接引脚NO_GND，N-MOS管Q9的栅极接三极管Q4的集电极，N-MOS管Q9的源极接地，所述二极管D2接入在常闭通路负载连接引脚NO和常闭通路负载接地引脚NO_GND之间且引脚NO_GND与二极管D2的正极相连，引脚NO与二极管D2的负极相连；所述常闭模块包括NPN三极管Q3、NPN三极管Q8、P-MOS管Q6、N-MOS管Q10、二极管D3、常闭通路负载连接引脚NC和常闭通路负载接地引脚NC_GND，所述NPN三极管Q3的集电极接引脚VDD，三极管Q3的基极接入隔离光耦G1的发射极端，三极管Q3的发射极接地，所述NPN三极管Q8的基极与NPN三极管Q3的集电极相连，NPN三极管Q8的集电极与P-MOS管Q6的栅极相连，NPN三极管Q8的发射极接地；所述P-MOS管Q6的源极接引脚VDD，所述P-MOS管Q6的漏极与常闭通路负载连接引脚NC相连，同时，所述N-MOS管Q10的栅极接引脚VDD，N-MOS管Q10的源极接地，N-MOS管Q10的漏极连接引脚NC_GND；所述二极管D3接入在常闭通路负载连接引脚NC和常闭通路负载接地引脚NC_GND之间且引脚NC_GND与二极管D3的正极相连，引脚NC与二极管D3的负极相连；当所述控制信号输入模块无控制信号时，Q4截止，三极管Q7、P-MOS管Q5和N-MOS管Q9均关断，常开模块的引脚NO、NO_GND之间处于断开状态，同时，Q3截止，三极管Q8、MOS管Q6和MOS管Q10分别导通，使常闭模块形成闭合状态，电源端VDD、P-MOS管Q6、N-MOS管Q10、外接负载、和接地端GND形成闭合回路，并以此控制负载响应；当控制信号输入模块输入控制信号时，三极管Q3导通，三极管Q8截止、P-MOS管Q6和N-MOS管Q10均反偏截止，常闭模块的引脚NC、NC_GND之间处于断开状态，同时，三极管Q4导通，三极管Q4导通后实现三极管Q7和P-MOS管Q5的导通，进而N-MOS管Q9导通，使常开模块形成闭合状态，电源端VDD、P-MOS管Q5、N-MOS管Q9、外接负载以及接地端GND形成闭合回路，并以此控制负载响应；二极管D2、D3分别为外接感性负载提供续流通道。

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