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申请/专利权人:株式会社钢臂功科研
摘要:本发明的电子束发生用阴极构件,包含铱和铈的化合物的单相或二相占95面积%以上,金属铱、和铱与铈之中的1个以上元素的氧化物之中的1个以上的副成分的含量合计为5面积%以下。
主权项:1.一种电子束发生用阴极构件,其中,包含铱和铈的化合物的单相占95面积%以上,金属铱、和铱与铈之中的1个以上元素的氧化物之中的1个以上的副成分的含量合计为5面积%以下,所述包含铱和铈的化合物是Ir2Ce、Ir3Ce、Ir7Ce2或Ir5Ce的化合物,所述单相的晶体结构是单晶,其中,所述包含铱和铈的化合物是以浮区法制作得到的,与长轴方向垂直的截面的最大当量圆直径为5mm以上,所述长轴方向与浮区法的晶体的培养方向相同。
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百度查询: 株式会社钢臂功科研 电子束发生用阴极构件及其制造方法
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