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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：一种良率评估方法及良率评估装置。此方法包括下列步骤：收集半导体产品制造过程中的晶片制造数据、前段晶片测试数据及后段产品良率信息，从中选择与良率相关的多个参数；计算使用各参数制造的多个样品中的坏品相对于全局定概率坏品的相对信息熵，用以建立产品信息熵计算器，其中全局定概率坏品代表良率不随参数变化的坏品；以及收集当前产品的晶片制造数据及前段晶片测试数据并代入产品信息熵计算器，以评估当前产品的良率。
主权项：1.一种良率评估方法，适用于具有处理器的电子装置，所述方法包括下列步骤：收集半导体产品制造过程中的晶片制造数据、前段晶片测试数据及后段产品良率信息，从中选择与良率相关的多个参数；计算使用各所述参数制造的多个样品中的坏品相对于全局定概率坏品的相对信息熵，用以建立一产品信息熵计算器，其中所述全局定概率坏品代表良率不随所述参数变化的坏品；以及收集当前产品的所述晶片制造数据及所述前段晶片测试数据并代入所述产品信息熵计算器，以评估所述当前产品的良率。
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百度查询： 华邦电子股份有限公司 良率评估方法及良率评估装置
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