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申请/专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要：本申请涉及一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法，其包括衬底、锑化铋薄膜和驱动电极；锑化铋薄膜位于所述衬底上，驱动电极位于所述锑化铋薄膜上。本申请证明了锑化铋材料可以应用于紫外成像技术，并且具有响应速度快，探测率高的优点，可覆盖大部分日盲光区域。
主权项：1.一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器，其特征在于，其包括：衬底1；锑化铋薄膜2，其位于所述衬底1上；驱动电极3，其位于所述锑化铋薄膜2上。
全文数据：
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百度查询： 武汉邮电科学研究院有限公司 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法
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