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申请/专利权人：五邑大学
摘要：本发明公开了一种金属氧化物绝缘层薄膜及其制备方法和应用，属于薄膜晶体管TFT技术领域。本发明所述金属氧化物绝缘层薄膜的制备方法包括以下步骤：S1、将金属醇盐和溶剂混合得到前驱体溶液，静置析出晶体得到金属有机化合物晶体；S2、将金属有机化合物晶体研磨成粉末置于坩埚，在坩埚上方放置掩模版，将基板的导电表面朝向掩模板侧；S3、进行近场热蒸发操作，得到所述金属氧化物绝缘层薄膜。本发明通过简单的工艺，无需额外的化学合成，无需高温退火工艺，无需惰性气体氛围，便可直接在空气氛围中制备出低漏电流的金属氧化物绝缘薄膜，对制备高性能金属氧化物绝缘薄膜有重要意义。
主权项：1.一种金属氧化物绝缘层薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、将金属醇盐和溶剂混合得到前驱体溶液，静置析出晶体得到金属有机化合物晶体；S2、将金属有机化合物晶体研磨成粉末状置于坩埚，在坩埚上方放置掩膜板，将基板的导电表面朝向掩膜板侧；S3、进行近场热蒸发操作，得到所述金属氧化物绝缘层薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 五邑大学 一种金属氧化物绝缘层薄膜及其制备方法和应用
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