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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
摘要：一种设备，所述设备包括多层结构，该多层结构被配置为反射电磁辐射。该设备包括传感器，该传感器被配置为检测电磁辐射在从多层结构反射之后的角分布。该设备包括处理器，该处理器被配置为至少部分地基于传感器所检测到的电磁辐射的角分布来生成第一函数。处理器被配置为将第一函数和与多个已知角反射率曲线相关联的多个已知函数进行比较，以从多个已知函数中识别与第一函数最相似的第二函数。处理器被配置为至少部分地基于与第二函数相关联的已知角反射率曲线来确定多层结构的角反射率曲线。
主权项：1.一种设备，包括：多层结构，所述多层结构被配置为反射电磁辐射；传感器，所述传感器被配置为检测所述电磁辐射在从所述多层结构反射之后的角分布；和处理器，所述处理器被配置为：至少部分地基于由所述传感器所检测到的电磁辐射的角分布来生成第一函数；将所述第一函数和与多个已知角反射率曲线相关联的多个已知函数进行比较，以从所述多个已知函数中识别与所述第一函数最相似的第二函数；以及至少部分地基于与所述第二函数相关联的已知角反射率曲线来确定所述多层结构的角反射率曲线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司 用于确定角反射率曲线的设备和方法
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