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申请/专利权人：爱发科(苏州)技术研究开发有限公司
摘要：本发明提供一种二元阈值转变选通器及其制备方法和相变存储器，所述二元阈值转变选通器自下而上依次包括下电极层、下降压功能层、阈值转变开关材料层、上降压功能层和上电极层；所述下降压功能层和所述上降压功能层的材料独立地包括Ge、Te或In中的任意一种或至少两种的组合。本发明通过引入降压功能层，有效降低了阈值转变开关材料层工作时的阈值电压和第一次点火的阈值电压，不仅延长了器件的使用寿命，还避免了第一次点火的高阈值电压对器件造成损坏，提高了多层器件的生产良率；同时降压功能层还可以替代阻挡层，在不增加器件复杂度的情况下起到了减小二元阈值转变选通器以及电极之间元素扩散的效果。
主权项：1.一种二元阈值转变选通器，其特征在于，所述二元阈值转变选通器自下而上依次包括下电极层、下降压功能层、阈值转变开关材料层、上降压功能层和上电极层；所述下降压功能层和所述上降压功能层的材料独立地包括Ge、Te或In中的任意一种或至少两种的组合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱发科(苏州)技术研究开发有限公司 一种二元阈值转变选通器及其制备方法和相变存储器
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