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一种富含缺陷的镁铝氟化物纳米晶的制备方法及其应用 

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申请/专利权人:贵州大学

摘要:本发明公开了一种富含缺陷的镁铝氟化物纳米晶的制备方法及其应用,将所述富含缺陷的镁铝氟化物纳米晶作为填料加入聚合物电解质中。本发明具有制备方法简单,成本低,制备的富含缺陷的镁铝氟化物纳米晶具有丰富的氟元素及缺陷,将富含缺陷的镁铝氟化物纳米晶作为无机填料加入聚合物电解质中,在PEO基全固态聚合物电解质体系中,电解质膜机械性能优异,锂盐解离度高,聚合物电解质电化学性能好的特点;在PEOPVDF‑HFP共混凝胶聚合物电解质体系中,PEO与PVDF‑HFP之间的相容性提升,聚合物之间的相分离被抑制,凝胶聚合物电解质稳定性好的有益效果。

主权项:1.一种富含缺陷的镁铝氟化物纳米晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1将10-20g蛭石加入400-500mL去离子水中,在50-70℃下油浴搅拌8-12h,静置0.5-1.5h,去除上层漂浮的杂质以及最下层未分散剥离到的蛭石,抽滤,在50-70℃干燥15-30h,得A品;2将6-10gA品加入300-500mL去离子水中,搅拌分散,加入30-50mL浓度为30-40%氢氟酸,在40-80℃下油浴搅拌6-10h,真空抽滤,用去离子水洗涤,洗涤至去离子水PH6.5-7,得棒状的镁铝氟化物纳米晶,为B品;3将1-3gB品加入400-800mL去离子水中,在200-1000radmin搅拌分散10-50min,在15-35℃下密封静置保存5-15天,在-60--40℃下冷冻干燥20-28h,得富含缺陷的镁铝氟化物纳米晶,记为MgAlF5·1.5H2O。

全文数据:

权利要求:

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