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申请/专利权人：成都泰格微电子研究所有限责任公司
摘要：本发明公开了一种TR组件中低噪声放大器的抗反向烧毁电路，包括环形器、第一隔离器、限幅器、低噪声放大器和第二隔离器；所述第一隔离器的输入端用于接收来自环形器的信号，所述第一隔离器的输出端依次通过限幅器与低噪声放大器的输入端连接，低噪声放大器的输出端通过第二隔离器对外输出信号。本发明首先在低噪声放大器前端增加一级隔离器，防止正向烧毁，另外在低噪声输出端再增加一级隔离器，防止低噪声放大器出现反向烧毁，同时考虑到发射功率较大时的情况，对LNA自身的电路进行设计，使得LNA自身也具有的抗反向烧毁能力。
主权项：1.一种TR组件中低噪声放大器的抗反向烧毁电路，其特征在于：包括环形器、第一隔离器、限幅器、低噪声放大器和第二隔离器；所述第一隔离器的输入端用于接收来自环形器的信号，所述第一隔离器的输出端依次通过限幅器与低噪声放大器的输入端连接，低噪声放大器的输出端通过第二隔离器对外输出信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都泰格微电子研究所有限责任公司 一种TR组件中低噪声放大器的抗反向烧毁电路
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