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申请/专利权人：大连皓宇电子科技有限公司

摘要：本发明公开了一种半导体设备加热盘上升温度速率控制的方法，通过将完整加热过程分为多个加热的子过程，通过获取每个加热子过程的实际温度曲线，得到完整的实际温度曲线，进而根据期望温度曲线，获取期望温度曲线上的趋势变化点，当趋势变化点的数量大于TST个时，确定PID控制器的调节区间，并在每个PID控制器的调节区间内对PID控制参数进行调节，并根据最后的调整后的PID控制器加热盘的当前温度以及加热目标温度，对半导体加热盘进行加热，以实现对半导体设备加热盘的上升温度速率的控制。本发明通过引入多组PID参数在不同的温度条件下进行切换来控制加热速率，能够明显的提高加热期望曲线和加热实际曲线的拟合度。

主权项：1.一种半导体设备加热盘上升温度速率控制的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：根据半导体设备加热盘上升温度的期望速率，获取对半导体设备加热盘进行加热的加热子过程的总数；S2：根据加热子过程的总数，第1个加热子过程的起始温度即加热盘的当前温度，基于加热子过程目标温度计算公式，获取第1个加热子过程的目标温度；S3：根据基于初始PID控制参数的初始的PID控制器，根据第1个加热子过程的起始温度、加热子过程的执行时间和第1个加热子过程的目标温度，获取加热盘在第1个加热子过程结束时的实际温度以及第1个加热子过程的实际温度曲线；其中，加热盘在第1个加热子过程结束时的实际温度即为加热盘在第2个加热子过程的起始温度；S4：基于加热盘在第ns-1个加热子过程结束时的实际温度，即加热盘在第ns个加热子过程的起始温度，重复执行S2-S3，获取第ns个加热子过程结束时的目标温度；以获取加热盘在第ns个加热子过程结束时的实际温度以及第ns个加热子过程的实际温度曲线；直至获取加热盘在第NS-1个加热子过程结束时的实际温度以及第NS-1个加热子过程的实际温度曲线；其中，ns表示加热子过程的索引编号，ns＝1,…,NS；NS表示加热子过程的总数；S5：根据基于初始PID控制参数的初始的PID控制器、第NS个加热子过程的起始温度、加热子过程的执行时间和半导体设备加热盘的加热目标温度，获取加热盘在第NS个加热子过程结束时的实际温度以及第NS个加热子过程的实际温度曲线；S6：根据第1个加热子过程的实际温度曲线,…,第ns个加热子过程的实际温度曲线,…,第NS-1个加热子过程的实际温度曲线，第NS个加热子过程的实际温度曲线，获取完整的实际温度曲线；S7：根据所述完整的实际温度曲线和对半导体设备加热盘加热的期望温度曲线，获取期望温度曲线上的趋势变化点；S8：当所述趋势变化点的数量大于TST个时，将相邻的两个趋势变化点之间确定为PID控制器的调节区间；并基于所述PID控制器的调节区间，对PID控制器参数进行调节，获取所述PID控制器的调节区间的调整后的PID控制器参数；执行S9；所述PID控制参数包括积分增益，微分增益，比例增益；否则，当所述趋势变化点的数量不大于TST个时，将此时的PID控制器参数作为最后的PID控制器参数，执行S10；其中，TS表示加热子过程的执行时间，T表示采样周期；S9：基于所述PID控制器的调节区间的调整后的PID控制器参数，重复执行S3-S8，直至趋势变化点的数量不大于TST个，将此时的PID控制器的调节区间的调整后的PID控制器参数，作为最后的PID控制器参数；S10：根据最后的PID控制器参数，获取最后的PID控制器，以根据所述最后的PID控制器、加热盘的当前温度以及加热目标温度，对半导体加热盘进行加热，以实现对半导体设备加热盘的上升温度速率的控制。

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