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基于分立半导体器件的小型化频率选择限幅器及设计方法 

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申请/专利权人:中国人民解放军国防科技大学

摘要:本发明涉及基于分立半导体器件的小型化频率选择限幅器及设计方法。包括微带线,微带线上包括依次连接的第一输入端、弯曲部和第一输出端;弯曲部上间隔并联有若干半导体件;还设置有滤波器,滤波器包括依次连接的第二输入端、谐振器组件和第二输出端;第一输出端与所述第二输入端连接;谐振器组件包括平行排列的若干谐振器;谐振器为多阶变截面结构,且各谐振器的多阶变截面结构交替反向放置;第二输入端、第二输出端分别连接谐振器组件两侧的谐振器,且与谐振器的多阶变截面结构中的宽截面处连接。本发明涉及的限幅器兼具限幅特性和滤波特性,并实现了小型化设计。

主权项:1.一种基于分立半导体器件的小型化频率选择限幅器,包括微带线,其特征在于,所述微带线上包括依次连接的第一输入端、弯曲部和第一输出端;所述弯曲部上间隔并联有若干半导体件,所述半导体件为由普通二极管、瞬态抑制二极管、变容二极管、PIN二极管、肖特基二极管中的任意一种以上组合而成的电路结构;还设置有滤波器,所述滤波器包括依次连接的第二输入端、谐振器组件和第二输出端;所述第一输出端与所述第二输入端连接;所述谐振器组件包括平行排列的若干谐振器;所述谐振器为多阶变截面结构,且各所述谐振器的多阶变截面结构交替反向放置;所述第二输入端、所述第二输出端分别连接所述谐振器组件两侧的谐振器,且与所述谐振器的多阶变截面结构中的宽截面处连接;当所述弯曲部上间隔并联有5级半导体件时;其第一半导体件与第二半导体件为双向瞬态抑制二极管,第三半导体件与第五半导体件为双管并联的PIN二极管,第四半导体件为肖特基二极管。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国人民解放军国防科技大学 基于分立半导体器件的小型化频率选择限幅器及设计方法

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