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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明公开一种集成电路及其制造方法，其中该集成电路包括基底、第一半导体元件以及第二半导体元件。基底具有分隔开的高电压区与低电压区。第一半导体元件位于高电压区。第一半导体元件包括第一氧化层以及第一栅极。第一氧化层嵌入基底内。第一栅极位于第一氧化层上。第一栅极为多晶栅极。第二半导体元件位于低电压区。第二半导体元件包括第二氧化层以及第二栅极。第二氧化层嵌入基底内。第二栅极位于第二氧化层上。第二栅极为金属栅极。
主权项：1.一种集成电路，其特征在于，包括：基底，具有分隔开的高电压区、低电压区以及与所述高电压区以及所述低电压区分隔开的中电压区；第一半导体元件，位于所述高电压区，其中所述第一半导体元件包括：第一氧化层，嵌入所述基底内；以及第一栅极，位于所述第一氧化层上，其中所述第一栅极为多晶栅极；第二半导体元件，位于所述低电压区，其中所述第二半导体元件包括：第二氧化层，嵌入所述基底内；以及第二栅极，位于所述第二氧化层上，其中所述第二栅极为金属栅极；以及第三半导体元件，位于所述中电压区上，且所述第三半导体元件包括：第三氧化层，嵌入所述基底内；以及第三栅极，位于所述第三氧化层上，其中所述第一氧化层嵌入所述基底的深度、所述第三氧化层嵌入所述基底的深度与所述第二氧化层嵌入所述基底的深度不同，所述第一栅极的顶面与所述第三栅极的顶面实质上共平面且低于所述第二栅极的顶面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 集成电路及其制造方法
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