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申请/专利权人：无锡中微高科电子有限公司
摘要：本发明涉及半导体加工工艺技术领域，具体公开了一种基板增层加工方法，其中，包括：提供载板；在载板的一个表面上进行热压包覆膜涂覆，形成覆盖双面铜柱的第一涂覆膜；对第一涂覆膜进行减薄处理以露出双面铜柱；在第一涂覆膜背离载板的表面形成双面重布线层；在双面重布线层上制作多个间隔设置的限位柱，其中限位柱的制作材料的力学性能参数满足以下条件：莫氏硬度大于3.0、杨氏模量高于110GPa以及剪切弹性模量大于49GPa；在双面重布线层的表面进行开口电镀，并制作介质层；在双面重布线层的表面进行热压包覆膜涂覆，形成覆盖介质层和限位柱的第二涂覆膜。本发明还公开了一种封装结构。本发明提供的基板增层加工方法能够有效控制减薄厚度。
主权项：1.一种基板增层加工方法，其特征在于，包括：提供载板，其中所述载板上设置有金属通孔和双面铜柱；在所述载板的一个表面上进行热压包覆膜涂覆，形成覆盖所述双面铜柱的第一涂覆膜；对所述第一涂覆膜进行减薄处理以露出所述双面铜柱；在所述第一涂覆膜背离所述载板的表面形成双面重布线层；在所述双面重布线层上进行开口电镀，并制作多个间隔设置的限位柱，其中多个间隔设置的限位柱在所述双面重布线层上且沿外围呈环形分布，所述限位柱的高度大于待制作的介质层的预设高度，且所述限位柱的高度与介质层的预设高度的差值在预设范围内，所述限位柱的制作材料的力学性能参数满足以下条件：莫氏硬度大于3.0、杨氏模量高于110GPa以及剪切弹性模量大于49GPa；在所述双面重布线层的表面进行开口电镀，并制作介质层，其中所述介质层的实际高度大于所述介质层的预设高度，且所述介质层的实际高度与所述介质层的预设高度的差值在预设范围内；在所述双面重布线层的表面进行热压包覆膜涂覆，形成覆盖所述介质层和所述限位柱的第二涂覆膜，其中所述第二涂覆膜的厚度大于所述介质层的高度以及所述限位柱的高度；对所述第二涂覆膜按照预设研磨进给速度进行研磨减薄，直至研磨至所述限位柱的高度后，所述预设研磨进给速度被动降低直至停止研磨，得到所述预设高度的介质层。
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权利要求：
百度查询： 无锡中微高科电子有限公司 基板增层加工方法及封装结构
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