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申请/专利权人：北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
摘要：本申请涉及一种紫外增透膜的制备工艺及紫外增透膜，涉及光学薄膜技术领域，包括擦拭增透膜基片、抽真空、加热恒温、离子源清洗、膜层镀制和退火处理等步骤。本工艺制得的紫外增透膜结构自上而下为增透膜基片、氧化铝层、氧化硅层，本申请提供的紫外增透膜具有膜层牢固、高透过率和耐激光长时间使用等优点，解决了传统紫外增透膜易损伤、脱落及透过率较低等问题。
主权项：1.一种紫外增透膜的制备工艺，其特征在于，所述紫外增透膜自上而下为增透膜基片、氧化铝层、氧化硅层；所述制备工艺包括以下步骤：S1、擦拭增透膜基片表面使其洁净、清洗、装炉抽真空，并加热至300℃时，恒温保持40-60min，后在300℃下镀制膜层，第一膜层为氧化铝层，蒸镀速率为5-8is，全程运用离子源，离子源能量为600×300；S2、第二膜层为氧化硅层，蒸镀速率为8-12is，全程运用离子源，离子源能量为600×300；S3、完成膜层镀制后进行退火处理，制得所述紫外增透膜。
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权利要求：
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