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申请/专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体公开一种基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件及其制备方法，该基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件包括金属纳米叉指结构、图形化的石墨烯异质结、一对金属电极以及硅二氧化硅衬底。金属纳米叉指结构在电极中间，低维材料异质结位于沟道结构上方，从下到上分别为硅二氧化硅衬底、金属纳米叉指结构、低维材料异质结。本发明制备的金属纳米叉指增强结构能够提升载流子产生和传输效率，提高器件光电性能。同时，纳米叉指结构对不同偏振角度的敏感，也为低维材料异质结器件进一步实现偏振探测提供策略。
主权项：1.一种基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件，其特征在于，包括衬底、金属电极、石墨烯MoS2薄膜以及金属纳米叉指结构，所述衬底的上端面两侧分别设置一个所述金属电极，所述金属纳米叉指结构设置于所述衬底的上端面且位于两个所述金属电极之间，所述金属纳米叉指结构以及所述金属电极的上方设置所述石墨烯MoS2薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 基于金属纳米叉指的低维材料异质结器件及其制备方法
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