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申请/专利权人：浙江工业大学

摘要：本发明公开了一种用于制备超冷原子的微型芯片及方法，所述微型芯片包括芯片基底，所述芯片基底上设有氧化隔离层，氧化隔离层通过离子蒸发溅射设有导线刻蚀层，导线刻蚀层上通过光刻法刻有导线，导线设计为双U型导线和双H型导线，导线间的刻槽尺寸为15um。本发明通过芯片上双U型导线和双H型导线所产生的具有极强梯度的势阱场用于片上囚禁和操纵冷原子，一方面解决传统磁光阱中大型线圈和复杂光路对于小型化原子真空物理单元中光学系统及磁场线圈所带来的限制，另一方面其紧凑陡峭的势阱为进一步实现片上快速蒸发冷却制备超冷原子提供有效途径。

主权项：1.一种用于制备超冷原子的微型芯片，其特征在于，包括导线刻蚀层17、氧化隔离层18、芯片基底19；所述芯片基底19上设有氧化隔离层18，所述氧化隔离层18通过离子蒸发溅射设有导线刻蚀层17，所述导线刻蚀层17上通过光刻法刻有导线，所述导线间的刻槽尺寸为15um；所述导线包括：第一Z型导线、第二Z型导线、第三Z型导线、第四Z型导线、第一U型导线、第二U型导线，横向连接直导线；所述导线刻蚀层17上设有芯片引脚，所述芯片引脚数量为14个，所述芯片引脚包括：第一引脚1、第二引脚2、第三引脚3、第四引脚4、第五引脚5、第六引脚6、第七引脚7、第八引脚8、第九引脚9、第十引脚10、第十一引脚11、第十二引脚12、第十三引脚13、第十四引脚14；其中，第一引脚1和第十二引脚12与第一Z型导线相连，第二引脚2和第十一引脚11与第二Z型导线相连，第五引脚5和第八引脚8与第三Z型导线相连，第六引脚6和第七引脚7与第四Z型导线相连，第三引脚3和第四引脚4与第一U型导线相连，第九引脚9和第十引脚10与第二U型导线相连，第十三引脚13和第十四引脚14与横向连接直导线相连；其中，同时接通引脚第十三引脚13和第十四引脚14、第一引脚1和第十二引脚12、第六引脚6和第七引脚7组合构成第一H型导线，同时接通第十三引脚13和第十四引脚14、第二引脚2和第十一引脚11、第五引脚5和第八引脚8组合构成第二H型导线；所述第一U型导线与第二U型导线共同构成双U型导线15，所述双U型导线15中间直导线尺寸为L1＝0.9mm，所述第一H型导线中间直导线L3＝2mm，所述第二H型导线中间直导线L2＝1.2mm，所述第一H型导线与第二H型导线共同构成双H型导线16；所述双U型导线15关于芯片水平中线对称分布，所述双H型导线16的中间直导线和芯片水平中线重合，两边竖直导线关于芯片竖直中线对称分布。

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