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申请/专利权人：上海应用技术大学
摘要：本发明公开了一种HgSe量子点Ge异质结光探测器及其制备方法和应用，制备方法包括：1将Se前驱体和Hg前驱体通过热注入合成HgSe量子点；2将所述HgSe量子点旋涂至Ge衬底上，退火，得HgSe量子点薄膜；3在所述Ge衬底和所述HgSe量子点薄膜上分别制备金属电极，得所述HgSe量子点Ge异质结光探测器。本发明方法制备的HgSe量子点Ge异质结光探测器，分别在Ge衬底和HgSe量子点薄膜上制备金属电极，可以优化探测器的波长范围和灵敏度。
主权项：1.一种HgSe量子点Ge异质结光探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将Se前驱体和Hg前驱体通过热注入合成HgSe量子点；2将所述HgSe量子点旋涂至Ge衬底上，退火，得HgSe量子点薄膜；3在所述Ge衬底和所述HgSe量子点薄膜上分别制备金属电极，得所述HgSe量子点Ge异质结光探测器。
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权利要求：
百度查询： 上海应用技术大学 一种HgSe量子点/Ge异质结光探测器及其制备方法和应用
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