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一种背接触电池及其制造方法 

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申请/专利权人:隆基绿能科技股份有限公司

摘要:本发明公开了一种背接触电池及其制造方法,涉及光伏技术领域,以降低背接触电池中,导电类型相反的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间的漏电风险。所述背接触电池包括:半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层、第一介质层和第二介质层。至少部分第一介质层和至少部分第二介质层沿第一区域和第二区域的排布方向层叠设置在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间,至少部分第一介质层与第一掺杂半导体层接触,至少部分第二介质层与第二掺杂半导体层接触;第一介质层和第二介质层的材料不同;第一介质层和第二介质层所构成的结构用于将第一掺杂半导体层的至少部分区域和第二掺杂半导体层的至少部分区域电性隔离开。

主权项:1.一种背接触电池,其特征在于,包括:半导体基底,所述半导体基底的背光面具有交替间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于每个所述第一区域和与自身相邻的所述第二区域之间的间隔区域;第一掺杂半导体层,形成在所述背光面具有的第一区域上;第二掺杂半导体层,至少形成在所述背光面具有的第二区域上;所述第二掺杂半导体层和所述第一掺杂半导体层的导电类型相反;第一介质层和第二介质层,至少形成在所述背光面具有的间隔区域上;至少部分所述第一介质层和至少部分所述第二介质层沿所述第一区域和所述第二区域的排布方向层叠设置在所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层之间,至少部分所述第一介质层与所述第一掺杂半导体层接触,至少部分所述第二介质层与所述第二掺杂半导体层接触;所述第一介质层和所述第二介质层的材料不同;所述第一介质层和所述第二介质层所构成的结构用于将所述第一掺杂半导体层的至少部分区域和所述第二掺杂半导体层的至少部分区域电性隔离开。

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