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芳香族底层 

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申请/专利权人:罗门哈斯电子材料有限责任公司

摘要:具有三个或更多个被具有某些取代基中的一种或多种的芳香族部分取代的炔基部分的化合物可用于形成在半导体制造工艺中有用的底层。

主权项:1.一种制造电子装置的方法,其包括:a提供电子装置衬底;b将包含一种或多种可固化化合物的涂层组合物层涂覆在所述电子装置衬底的表面上,其中所述一种或多种可固化化合物包含选自C5-6芳环和C9-30稠合芳环体系的芳核和三个或更多个具有式1的取代基 其中至少两个具有式1的取代基附接到所述芳核;并且其中Ar1是具有5至30个碳的芳环或稠合芳环体系;Z是选自以下项的取代基:OR1、受保护的羟基、羧基、受保护的羧基、SR1、受保护的硫醇基、-O-C=O-C1-6-烷基、卤素、和NHR2;每个R1选自H、C1-10烷基、C2-10不饱和烃基、和C5-30芳基;每个R2选自H、C1-10烷基、C2-10不饱和烃基、C5-30芳基、C=O-R1、和S=O2-R1;x是1至4的整数;并且*表示与所述芳核的附接点或者与除了芳核之外的可固化化合物的附接点;c将所述可固化化合物的层固化以形成底层;d将光致抗蚀剂层涂覆在所述底层上;e通过掩模将所述光致抗蚀剂层暴露于光化辐射;f使暴露的光致抗蚀剂层显影以形成抗蚀剂图案;以及g将所述图案转移至所述底层以暴露所述电子装置衬底的一部分。

全文数据:

权利要求:

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