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申请/专利权人：安徽奥飞声学科技有限公司
摘要：本实用新型涉及新型电声元件制造和微电子器件等技术领域，尤其涉及一种MEMS结构、电子烟开关、电子烟。本实用新型MEMS结构包括：Si衬底，包括：衬底外环体；衬底背腔，形成于衬底外环体的内侧；SiN振动支撑层，形成在Si衬底的上方，覆盖衬底背腔；AlN种子层，形成于SiN振动支撑层上；Mo下电极层，部分地形成于AlN种子层上；AlN压电功能层，形成于Mo下电极层和未被Mo下电极层覆盖的AlN种子层上；上电极层，形成于AlN压电功能层上方。本实用新型中，AlN种子层提升了Mo上电极层的生长质量，同时对Mo下电极层和AlN压电功能层的晶格取向进行引导，提高了晶体生长质量。
主权项：1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：Si衬底，包括：衬底外环体；衬底背腔，形成于所述衬底外环体的内侧；SiN振动支撑层，形成在所述Si衬底的上方，覆盖所述衬底背腔；AlN种子层，形成于所述SiN振动支撑层上；Mo下电极层，部分地形成于所述AlN种子层上；AlN压电功能层，形成于所述Mo下电极层和未被Mo下电极层覆盖的AlN种子层上；上电极层，形成于所述AlN压电功能层上方。
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权利要求：
百度查询： 安徽奥飞声学科技有限公司 MEMS结构、电子烟开关、电子烟
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