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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体结构形成方法及半导体结构，半导体结构形成方法包含：提供一半导体层；于半导体层上方形成介面层；于介面层上方沉积高介电常数介电层；于高介电常数介电层上方形成虚设栅电极；图案化虚设栅电极、高介电常数介电层以及介面层，使得介面层的宽度大于高介电常数介电层的宽度；沿着虚设栅电极、高介电常数介电层以及介面层的侧壁形成间隔物；形成多个源极漏极特征；以金属栅电极取代虚设栅电极以形成高介电常数金属栅极结构；于沉积高介电常数介电层之后以及形成虚设栅电极之前，于高介电常数介电层上方沉积覆盖层；于氮气环境中对覆盖层执行尖波退火过程；以及于取代虚设栅电极之前移除覆盖层。
主权项：1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包含：提供一半导体层；于该半导体层上方形成一介面层；于该介面层上方沉积一高介电常数介电层；于该高介电常数介电层上方形成一虚设栅电极；图案化该虚设栅电极、该高介电常数介电层以及该介面层，使得该介面层的一宽度大于该高介电常数介电层的一宽度；于该图案化之后，沿着该虚设栅电极、该高介电常数介电层以及该介面层的侧壁形成一间隔物；于该半导体层上方形成多个源极漏极特征；以一金属栅电极取代该虚设栅电极以形成一高介电常数金属栅极结构；于沉积该高介电常数介电层之后以及形成该虚设栅电极之前，于该高介电常数介电层上方沉积一覆盖层；于一氮气环境中对该覆盖层执行一尖波退火过程；以及于取代该虚设栅电极之前移除该覆盖层。
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权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构形成方法及半导体结构
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