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申请/专利权人：无锡松煜科技有限公司
摘要：本发明提供一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，包括：（1）将硅片置于热丝化学气相沉积设备的反应腔室中，抽真空，通入硅烷、乙硼烷和氢气，沉积厚度为10~30nm的掺硼非晶硅层，出腔；（2）进行激光选择性重掺杂处理；（3）将硅片置于硼扩散炉管中，抽真空，通入氮气进行无氧硼扩散；（4）抽真空，氮气吹扫，通入氧气，将硅片进行氧化推结，完成硅片的选择性掺杂硼扩散。本发明采用掺硼非晶硅可以使得激光选择性重掺杂中采用较低激光功率就可以将离子扩散到较大的深度；采用热丝化学气相沉积法制备掺硼非晶硅层，不会出现绕扩现象；采用无氧硼源，整个工艺中无B2O3副产物产生，不会对石英件造成损坏。
主权项：1.一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤（1）：将硅片置于热丝化学气相沉积设备的反应腔室中，抽真空，通入硅烷、乙硼烷和氢气，在硅片的其中一面沉积掺硼非晶硅层，出腔；所述掺硼非晶硅层的厚度为10~30nm；硅烷、乙硼烷和氢气的流量比为1：（2~2.85）：（0.5~1）；硅烷的流量为1300~1600sccm；乙硼烷的流量为3200~3700sccm；氢气的流量为800~1000sccm；反应压力为2~10Pa；热丝化学气相沉积设备采用热丝加热，热丝加热的温度为1750~1950℃；步骤（2）：将经过步骤（1）处理后的硅片沉积有掺硼非晶硅层的表面进行激光选择性重掺杂处理；激光选择性重掺杂处理采用绿光激光；所述绿光激光的脉宽为500ps~2ns，扫描速度15000~35000ms；步骤（3）：将经过步骤（2）处理后的硅片置于硼扩散炉管中，抽真空，通入氮气进行无氧硼扩散；无氧硼扩散的压力为300~500mbar，温度为900~930℃，时间为50~150s；氮气的流量为2500~3000sccm；步骤（4）：将硼扩散炉管抽真空，氮气吹扫，通入氧气，将经过步骤（3）处理后的硅片进行氧化推结，完成硅片的选择性掺杂硼扩散；氧化推结的压力为600~820mbar，温度为1000~1050℃，时间为40~80min；氧气的流量为15000~20000sccm。
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权利要求：
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