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申请/专利权人：尤米科尔公司
摘要：本发明涉及n型掺杂并且电阻率小于10mOhm.cm的单晶无位错Ge，其特征在于磷是单一掺杂剂。这样的晶体可以通过使用Czochralski拉晶法以GeP作为掺杂剂获得。
主权项：1.一种n型掺杂的无位错Ge单晶，所述n型掺杂的无位错Ge单晶的电阻率小于10mOhm.cm，其特征在于磷是单一掺杂剂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 尤米科尔公司 n型掺杂的锗单晶及来源于其的晶片
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