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申请/专利权人：苏州异格技术有限公司

摘要：本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种互连结构及封装结构。互连结构包括第一介质层、第一参考层、第二介质层、导电层、第一导电部及第二导电部，第一参考层位于第一介质层的一侧表面，第二介质层位于第一参考层背离第一介质层的一侧表面，导电层位于第二介质层背离第一参考层的一侧表面，第一导电部贯穿第二介质层与导电层接触，第一导电部另一端适于与基板上的焊盘连接；第二导电部贯穿第二介质层与导电层接触，第二导电部另一端适于与芯片的焊盘连接。第一参考层起到提供参考作用以及屏蔽作用，参考作用降低了高频时传输导体的局部寄生电感并保证均匀的特征阻抗，屏蔽作用抑制了高频信号能量的对外辐射，从而避免了高频信号的变差和失真。

主权项：1.一种互连结构，其特征在于，包括：第一介质层101；第一参考层102，所述第一参考层102位于所述第一介质层101的一侧表面；第二介质层103，所述第二介质层103位于所述第一参考层102背离所述第一介质层101的一侧表面；导电层104，所述导电层104位于所述第二介质层103背离所述第一参考层102的一侧表面；第一导电部105，所述第一导电部105贯穿第二介质层103与所述导电层104接触，所述第一导电部105一端与所述导电层104连接；第二导电部106，所述第二导电部106贯穿所述第二介质层103与所述导电层104接触，所述第二导电部106一端与所述导电层104连接；所述第一参考层102为导电材料，所述第一介质层101和所述第二介质层103均为绝缘材料；所述第一参考层和所述导电层对称分布在第二介质层的两侧；第一凸点107，所述第一凸点107设置在所述第一导电部105上；第二凸点108，所述第二凸点108设置在所述第二导电部106上；第一凹槽109，所述第一凹槽109贯穿所述第一介质层101和第一参考层102，所述第一凹槽109内设有所述第一凸点107，伸出所述第一凹槽109外的部分所述第一凸点107适于与所述基板201上的焊盘键合；第二凹槽110，所述第二凹槽110贯穿所述第一介质层101和第一参考层102，所述第二凹槽110内设有所述第二凸点108，伸出所述第二凹槽110外的部分所述第二凸点108适于与所述芯片203上的焊盘键合。

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