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申请/专利权人：无锡松煜科技有限公司
摘要：本发明公开了一种基于ALD工艺制备叠层氧化铝膜层的方法，属于太阳能电池技术和半导体技术领域。本发明针对原子层沉积ALD工艺进行了改进，由传统的单类型氧化铝膜层改变成多层氧化铝膜；具体地，至少满足如下至少一种情形：多层氧化铝膜中的底层膜含有的TMA的量高于顶层膜含有的TMA的量，和或，多层氧化铝膜中的底层膜含有的H2O量低于顶层膜含有的H2O量。该方法相比现有多层氧化铝膜中H2O和TMA源量相当的方法能够获得性能更优的氧化铝膜层。
主权项：1.一种基于ALD工艺制备叠层氧化铝膜层的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将基底放置于原子层沉积腔室内，并对腔室进行抽真空、检漏和调温调压处理；S2、随后持续通入水蒸气到原子层沉积腔室对硅片进行预处理；S3、构建底层膜：通入TMA沉积于预处理后的硅片表面，随后通入惰性气体吹扫掉多余的TMA；再通入水蒸气沉积于硅片表面，与先沉积的TMA进行反应、在硅片表面形成Al2O3膜，最后通入惰性气体吹扫掉多余的水；重复上述过程，得到底层膜；S4、构建顶层膜：通入TMA沉积于具有底层膜的硅片表面，随后通入惰性气体吹扫掉多余的TMA；再通入水蒸气沉积于硅片表面，与先沉积的TMA进行反应、在硅片表面形成Al2O3膜，最后通入惰性气体吹扫掉多余的水；重复上述过程，得到顶层膜；S5、抽真空、吹扫反应腔内剩余气体，腔室充氮气回压，获得叠层氧化铝膜层；其中，S3中通入TMA的量高于S4中通入TMA的量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡松煜科技有限公司 一种基于ALD工艺制备叠层氧化铝膜层的方法
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