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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科技集团重庆声光电有限公司
摘要:本发明提供了一种硅晶圆转移方法及装置,在所述硅晶圆转移方法中,利用第一滚轮、第二滚轮及第三滚轮沿第一方向同步传动目标衬底膜,并利用第二滚轮施加压力,使目标衬底膜与硅晶圆表面之间产生粘附力,再利用沿第二方向移动并远离第二滚轮的第三滚轮,在第三滚轮的运动牵引下,目标衬底膜带动第二滚轮滚动后方的硅晶圆与保护膜脱离并转移到目标衬底膜上,快速高效地实现了硅晶圆从保护膜到目标衬底膜的整体转移,提高了转移效率,同时兼容卷到卷制造工艺过程,满足硅基柔性电子器件大规模制造的需求。
主权项:1.一种硅晶圆转移方法,其特征在于,包括:提供待转移的硅晶圆,多个所述硅晶圆设置在保护膜上,所述保护膜固定在载物平台的载物平面上;提供第一滚轮、第二滚轮及第三滚轮,所述第一滚轮、所述第二滚轮及所述第三滚轮设置在所述硅晶圆远离所述载物平台的一侧上;提供目标衬底膜,通过所述第一滚轮、所述第二滚轮及所述第三滚轮沿第一方向同步传动目标衬底膜,且在传动过程中所述目标衬底膜通过所述第二滚轮与所述硅晶圆的边缘表面充分接触;在传入所述目标衬底膜的同时,通过所述第二滚轮施加压力,使所述目标衬底膜与所述硅晶圆表面之间产生粘附力;在传入所述目标衬底膜的同时,沿第二方向移动所述第三滚轮,使所述第三滚轮远离所述第二滚轮,将所述硅晶圆从所述保护膜上脱离并转移到所述目标衬底膜上;其中,所述目标衬底膜通过所述第一滚轮传入,通过所述第二滚轮传动并与所述硅晶圆接触,通过所述第三滚轮传出;所述第二方向垂直于所述载物平台的载物平面,所述第一方向平行于所述载物平台的载物平面。
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