龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：无锡松煜科技有限公司
摘要：本发明涉及碳纳米管生产技术领域，公开了一种高纯度单壁碳纳米管的制备方法。现有技术中，以化学气相沉积法制备碳纳米管，难以制备得到单壁碳纳米管，得到的产物中含有较高含量的杂质。经过多次实验，本发明研究人员发现，当立式CVD反应炉中进行生长放映，沿着反应炉顶部至底部方向，将碳源进气口设置在反应炉的15至12炉长位置处，能生长得到杂质含量较少的单壁碳纳米管。基于上述发现，本发明人员对CVD法制备单壁碳纳米管的进气方式及进气位置进行了优化，由此提出了本发明。
主权项：1.一种高纯度单壁碳纳米管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、提供立式CVD反应炉，并将催化剂置于反应炉中；S2、提供用于向反应炉喷射碳源的喷枪，以反应炉的高度计，沿着反应炉顶部至底部方向，使喷枪出口的末端位于反应炉的15至12位置处；S3、将反应炉升温至800~1200℃，待温度稳定后，通过喷枪向反应炉通入碳源，收集黑色粉末，即为单壁碳纳米管；其中：喷枪出口为倒圆台型管道，其截面为上宽下窄的梯形；喷枪出口的数量为2~5；碳源的进气速率为5~10Lh；步骤S3中，使用惰性气体作为载气通入碳源，载气的流量为600~1000sccm；步骤S3中，待温度稳定后，还向反应炉中通入氢气，流量为150~300sccm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡松煜科技有限公司 一种高纯度单壁碳纳米管的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号