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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及利用新的标准单元进行最小泄漏的合成驱动。根据实施例，集成电路包括互补金属氧化物半导体CMOS逻辑门，串联p沟道晶体管和分路n沟道晶体管。CMOS逻辑门包括第一p沟道晶体管和第一n沟道晶体管。第一p沟道晶体管和串联p沟道晶体管可配置为体偏置。串联p沟道晶体管耦合在CMOS逻辑门的输出端子和第一p沟道晶体管之间。分路n沟道晶体管耦合在CMOS逻辑门的输出端子和参考接地之间。所述串联p沟道晶体管的栅极端子耦合到所述分路n沟道晶体管的栅极端子且被配置为在所述CMOS逻辑门的低功率操作模式期间接收睡眠信号。
主权项：1.一种集成电路，包括：互补金属氧化物半导体CMOS逻辑门，包括第一p沟道晶体管和第一n沟道晶体管，其中所述第一p沟道晶体管可配置为体偏置；串联p沟道晶体管，耦合在所述CMOS逻辑门的输出端子与所述第一p沟道晶体管之间，其中所述串联p沟道晶体管可配置为体偏置；以及分路n沟道晶体管，耦合在所述CMOS逻辑门的所述输出端子与参考接地之间，其中所述串联p沟道晶体管的栅极端子被耦合到所述分路n沟道晶体管的栅极端子并且被配置为在所述CMOS逻辑门的低功率操作模式期间接收睡眠信号。
全文数据：
权利要求：
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