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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储器及存储系统，包括：提供半导体层；在半导体层上形成堆叠结构和初始沟道结构，堆叠结构包括相互堆叠的导电层和绝缘层，初始沟道结构贯穿堆叠结构并延伸至半导体层中；去除半导体层，以暴露绝缘层；去除初始沟道结构的至少部分内部结构，以获得空腔；在绝缘层上形成覆盖层，覆盖层填实空腔，以获得沟道结构。本申请通过去除初始沟道结构的内部结构并进行重新填充，使得到的沟道结构能够完全填实，避免了半导体器件在后续使用过程中出现质量问题。
主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体层100；在所述半导体层100上形成堆叠结构和初始沟道结构420，所述堆叠结构包括相互堆叠的导电层200和绝缘层300，所述初始沟道结构420贯穿所述堆叠结构并延伸至所述半导体层100中；去除所述半导体层100，以暴露所述绝缘层300；去除所述初始沟道结构的至少部分内部结构，以获得空腔417；在所述绝缘层300上形成覆盖层500，所述覆盖层500填实所述空腔417，以获得沟道结构410。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制备方法、存储器及存储系统
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