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申请/专利权人：海安南京大学高新技术研究院
摘要：本申请公开了一种空位诱导P掺杂CoSe2复合材料及其制备方法，通过在CoSe2中制造空位并诱导P的掺杂得到了P‑CS‑0.5复合材料。空位的存在可以通过调控电子结构改良材料的电导率及催化活性，而P的掺杂则稳定了材料的结构。材料的表面化学态表征结果显示：随着空位浓度增加，Co+3的峰面积逐渐变小，同时Se原子周围的电子云密度降低，使得Se3d轨道的结合能不断增加，而将P原子引入空位之后，Se3d轨道又向低结合能方向移动。
主权项：1.一种空位诱导P掺杂CoSe2复合材料及其制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1ZIF-67的制备：按比例称取CoNO32·6H2O和十六烷基三甲基溴化铵加入去离子水中，搅拌后得到透明的粉红色溶液A；按比例将2-甲基咪唑加入去离子水中，搅拌后得到透明的溶液B；将溶液A倒入溶液B中，高速搅拌40min后得到紫色悬浮液；使用乙醇离心清洗六次，得到紫色物质，在真空状态下干燥得到ZIF-67；S2空心ZIF-67的制备：将S1制备好的ZIF-67分散到乙醇中，然后将其倒入含有1mgmL单宁酸的乙醇和去离子水混合溶液中，在室温下搅拌15min，离心收集产物，用乙醇洗涤数次，得到空心结构的ZIF-67；S3CoSe2的制备：将空心ZIF-67和硒粉放入坩埚中，煅烧得到CoSe2；将制备好的CoSe2在不同浓度的NaBH4溶液（质量体积比1mg：1ml）中浸泡30min，然后用去离子水洗涤数次后在60℃下干燥8～16h，得到目标材料；S4P-CS-NaH2PO2复合材料的制备：将质量比为1:1的NaH2PO2和S3目标材料分别置于管式炉的上游和下游，加热后得到P-CS-NaH2PO2复合材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 海安南京大学高新技术研究院 一种空位诱导P掺杂CoSe2复合材料及其制备方法
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