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申请/专利权人：深圳平湖实验室
摘要：本公开的绝缘栅双极晶体管、其制作方法及电子装置，可提高IGBT的可靠性，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：依次叠置的第一n‑漂移层、第二n型掺杂漂移层、p‑阱层和n+发射极；沟槽，贯穿n+发射极、p‑阱层和第二n型掺杂漂移层，沟槽包括第一沟槽；栅极，包括位于第一沟槽内的第一栅极；栅绝缘层，至少自第一沟槽与第一栅极之间延伸至n+发射极远离p‑阱层的一侧；p‑保护层，包括第一p‑结构，第一p‑结构包括第一底部、第一台面部、以及连接第一底部和第一台面部的第一连接部；其中，第一底部位于第一沟槽的底面与栅绝缘层之间，第一连接部位于第一沟槽的侧面与栅绝缘层之间，第一台面部位于n+发射极与栅绝缘层之间。
主权项：1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括至少一个元胞结构，所述元胞结构包括：第一n-漂移层；第二n型掺杂漂移层，位于所述第一n-漂移层的一侧；p-阱层，位于所述第二n型掺杂漂移层远离所述第一n-漂移层的一侧；n+发射极，位于所述p-阱层远离所述第二n型掺杂漂移层的一侧；沟槽，贯穿所述n+发射极、所述p-阱层和所述第二n型掺杂漂移层，所述沟槽包括第一沟槽；栅极，包括位于所述第一沟槽内的第一栅极；栅绝缘层，至少自所述第一沟槽与所述第一栅极之间延伸至所述n+发射极远离所述p-阱层的一侧；p-保护层，包括第一p-结构，所述第一p-结构包括第一底部、第一台面部、以及连接所述第一底部和所述第一台面部的第一连接部；其中，所述第一底部位于所述第一沟槽的底面与所述栅绝缘层之间，所述第一连接部位于所述第一沟槽的侧面与所述栅绝缘层之间，所述第一台面部位于所述n+发射极与所述栅绝缘层之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳平湖实验室 绝缘栅双极晶体管、其制作方法及电子装置
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