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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供化合物、光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。所述化合物具有小于或等于约0.191eV的重组能和小于或等于约500nm的通过密度泛函理论DFT计算的最大吸收波长值。在化学式1中，各基团的定义如说明书中所描述的。[化学式1]
主权项：1.化合物，由化学式1表示：[化学式1] 其中，在化学式1中，G1为单键、O、S、Se、Te、S＝O、S＝O2、NRa、BRb、-SiRcRd-、-SiRccRdd-、-GeReRf-、-GeReeRff-、-CRgRhn1-、-CRggRhh-、-CRi＝CRj-、或-CRii＝CRjj-，其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh、Ri和Rj各自独立地为氢、氘、卤素、C1至C10烷基、C1至C10卤代烷基、C1至C10烷氧基、或C6至C20芳基，Rcc和Rdd、Ree和Rff、Rgg和Rhh、或Rii和Rjj彼此连接以形成环结构，且n1为1或2，G2为O、S、Se、Te、S＝O、S＝O2、NRa、BRb、-SiRcRd-、-SiRccRdd-、-GeReRf-、-GeReeRff-、-CRgRhn1-、-CRggRhh-、-CRi＝CRj-、或-CRii＝CRjj-，其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh、Ri和Rj各自独立地为氢、氘、卤素、C1至C10烷基、C1至C10卤代烷基、C1至C10烷氧基、或C6至C20芳基，Rcc和Rdd、Ree和Rff、Rgg和Rhh、或Rii和Rjj彼此连接以形成环结构，且n1为1或2，Rx、Ry和Rz各自独立地为氢、氘、卤素、C1至C10烷基、C1至C10卤代烷基、C1至C10烷氧基、或C6至C20芳基，x为0至4的整数，y为0至3的整数，和EWG为包括至少一个吸电子基团的受体部分，其中所述化合物具有小于或等于0.191eV的重组能，并且所述化合物具有小于或等于500nm的基于密度泛函理论计算的最大吸收波长值，和其中在化学式1中，含有G2的环状基团的苯环的至少一个-CH＝任选地被-N＝代替。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 化合物、光电器件、图像传感器、和电子设备
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