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申请/专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
摘要：本发明公开了一种优化Bosch刻蚀工艺侧壁的方法，包括步骤：S1,预处理：提供Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆；采用第一清洗液对经Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆进行预处理；S2，腐蚀：将经步骤S1预处理后的晶圆放置于硅腐蚀液中进行常温腐蚀；S3,去掩膜：于室温条件下，采用第二清洗液对经步骤S2腐蚀后的晶圆进行清洗，用以去除晶圆表面的SiO2掩膜。本发明所述优化方法对Bosch刻蚀工艺侧壁波纹进行处理形成平缓的形貌，以提升器件的性能以及寿命。
主权项：1.一种优化Bosch刻蚀工艺侧壁的方法，其特征在于，包括步骤：S1,预处理：提供Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆；采用第一清洗液对经Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆进行预处理；S2，腐蚀：将经步骤S1预处理后的晶圆放置于硅腐蚀液中进行常温腐蚀；S3,去掩膜：于室温条件下，采用第二清洗液对经步骤S2腐蚀后的晶圆进行清洗，用以去除晶圆表面的SiO2掩膜。
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百度查询： 深圳市汇芯通信技术有限公司 一种优化Bosch刻蚀工艺侧壁的方法
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