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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：一种低温调控NiZn铁氧体薄膜晶粒生长特性的方法，属于薄膜制备技术领域。本发明通过加入适当的氧化剂NaNO2优化NiZn铁氧体薄膜晶粒生长特性，在不改变溶液pH值、主配方浓度和设备工艺参数的情况下，仅通过调控氧化液中氧化剂浓度这一操作，就实现了无取向的玻璃基板生长的NiZn铁氧体薄膜优化晶粒生长，调控晶粒形貌。同时，本发明方法也不需要高温退火处理，即可得到高结晶度的NiZn铁氧体薄膜，节约能源和制备时间，避免了退火处理引起的材料性能恶化，可实现与半导体工艺、集成器件的高效兼容。
主权项：1.一种低温调控NiZn铁氧体薄膜晶粒生长特性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、反应台清洗：使用砂纸打磨反应台至表面光滑，采用无水乙醇清洗后自然晾干；选择无取向玻璃基板，进行超声清洗，然后使用氮气枪吹干后吸附于反应台上；步骤2、溶液配制：2.1以NaNO2作为氧化剂，CH3COONa作为缓冲剂，加入去离子水混合均匀后得到氧化剂溶液；其中，NaNO2的摩尔浓度为2.18～5.45mmol·L-1，CH3COONa的摩尔浓度为17.39mmol·L-1；2.2以FeCl2、ZnCl2和NiCl2·6H2O作为还原剂，加入去离子水混合均匀后得到还原剂溶液；其中FeCl2的摩尔浓度为9.09mmol·L-1，ZnCl2的摩尔浓度为0.95mmol·L-1，NiCl2·6H2O的摩尔浓度为1.79mmol·L-1；步骤3、参数设置：设置旋涂设备的参数，其中基板温度设置为92℃，喷头流量17ml·min-1，雾化功率0.3W，工作气压0.03Mpa，反应台转速130rpm；步骤4、薄膜制备：首先将喷嘴接入去离子水，开启旋转及加热装置，在基板表面形成一层均匀的水膜；然后待基板温度稳定在92℃时，喷嘴分别接入氧化剂溶液和还原剂溶液，持续反应20min，薄膜生长完成，得到厚度为1μm的NiZn铁氧体薄膜。
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