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申请/专利权人：闽都创新实验室
摘要：本发明公开一种氮化镓晶体管及其制备方法，氮化镓晶体管包括衬底基板、多层半导体层、栅电极和底电极；栅电极位于多层半导体层远离衬底基板的一侧，底电极的至少部分位于多层半导体层远离栅电极的一侧；底电极与栅电极在衬底基板所在平面的正投影相互交叠；其中，栅电极和底电极用于与开关控制模块串联形成第一回路。本发明实施例的技术方案可以采用单颗氮化镓晶体管实现双向导通设计。
主权项：1.一种氮化镓晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；多层半导体层，位于所述衬底基板的一侧；栅电极，位于所述多层半导体层远离所述衬底基板的一侧；底电极；所述底电极的至少部分位于所述多层半导体层远离所述栅电极的一侧；所述底电极在所述衬底基板所在平面的正投影与所述栅电极在所述衬底基板所在平面的正投影相互交叠；其中，所述栅电极和所述底电极用于与开关控制模块串联形成第一回路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽都创新实验室 一种氮化镓晶体管及其制备方法
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