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申请/专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司
摘要：本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括：衬底；外延层，外延层形成于衬底的上表面；第一杂质区域，第一杂质区域形成于外延层的上表面；第二杂质区域，第二杂质区域形成于第一杂质区域的上表面；第一接触区域，第一接触区域形成于外延层，且对应于第二杂质区域的中心，第一接触区域形成为具有第一导电类型的第一电极，且浓度高于外延层；和第二环形区域，第二环形区域形成于第二杂质区域的边缘，第二环形区域形成为具有第二导电类型的第二电极，且浓度高于第二杂质区域；其中，第二环形区域与第一杂质区域接触并形成击穿，以在第二环形区域的边缘形成雪崩区，偏置电压加载于第一电极和第二电极，外延层产生的光生电子漂移至雪崩区以触发雪崩。
主权项：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；外延层10，所述外延层10形成于所述衬底的上表面，且具有第一导电类型；第一杂质区域20，所述第一杂质区域20形成于所述外延层10的上表面，且具有第一导电类型；第二杂质区域30，所述第二杂质区域30形成于所述第一杂质区域20的上表面，且具有第二导电类型；第一接触区域41，所述第一接触区域41形成于所述外延层10，且对应于所述第二杂质区域30的中心，所述第一接触区域41形成为具有第一导电类型的第一电极41a，且浓度高于所述外延层10；和第二环形区域42，第二环形区域42形成于所述第二杂质区域30的边缘，所述第二环形区域42形成为具有第二导电类型的第二电极42a，且浓度高于所述第二杂质区域30；其中，所述第二环形区域41与所述第一杂质区域20接触并形成击穿，以在所述第二环形区域41的边缘形成雪崩区；偏置电压加载于所述第一电极41a和第二电极42a，所述外延层10产生的光生电子漂移至所述雪崩区以触发雪崩。
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权利要求：
百度查询： 杭州海康威视数字技术股份有限公司 一种单光子雪崩二极管及其制备方法
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