龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华南师范大学
摘要：本发明涉及一种激光MEMS微电子机械系统器件及制备方法，包括层叠于衬底上的外延结构和P型电极，器件的中心区域形成延伸至N掺杂GaN层与牺牲层邻接的表面的第一内腔，牺牲层中设置有与第一内腔连通的第二内腔，器件的外侧区域设置有延伸至N掺杂GaN层中一定深度的第一外腔，第二外腔沿第一内腔的底部延伸至牺牲层与缓冲层邻接的表面，形成具有悬浮的回音壁WGM型微腔结构；本发明利用悬浮WGM型微腔，获得光增益，提高激光的出射和电光转化效率，提升激光器件性能的稳定性，实现声波的高灵敏检测以及声音或压力信号的精准识别；本发明的制备方法简单、操作简便、成本低廉、工艺兼容度高，器件体积小、成本低、寿命长。
主权项：1.一种激光MEMS器件，其特征在于，包括衬底，设置于衬底上的外延结构，和设置于外延结构上的P型电极，该外延结构包括依次层叠的缓冲层、牺牲层、N掺杂GaN层、下电子阻挡层N-CL、下光学限制层N-WG、量子阱层、上光学限制层U-WG、上电子阻挡层P-CL和P掺杂GaN层；位于该器件上表面中心区域的、呈柱状的第一内腔，沿P型电极的上表面延伸至外延结构中N掺杂GaN层与牺牲层邻接的表面；呈柱状的、与所述第一内腔连通的第二内腔，沿牺牲层与N掺杂GaN层邻接的表面延伸至牺牲层与缓冲层邻接的表面，所述第二内腔的直径大于所述第一内腔的直径；沿该器件上表面外侧区域布置的、呈环状的第一外腔，其沿P型电极的上表面延伸至外延结构的N掺杂GaN层中一定深度，形成该N掺杂GaN层的裸露面，该第一外腔暴露外延结构的侧壁，该N掺杂GaN层的裸露面上设置有N型电极；呈环状的、与所述第一外腔连通的第二外腔，沿该N掺杂GaN层的裸露面的N型电极的外侧区域延伸至牺牲层与缓冲层邻接的表面，第二外腔的内径大于第一外腔的内径；沿平行于衬底表面的方向上，所述第二外腔和所述第二内腔之间间隔所述牺牲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南师范大学 一种激光MEMS器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号