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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种反熔丝存储结构及其操作方法、反熔丝存储阵列结构及其操作方法、存储器。反熔丝存储结构包括：包括沿第一方向上依次排布的第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的有源区；设置在有源区上的第一反熔丝结构、第二反熔丝结构和选择晶体管，第一反熔丝结构包括与第一部分交叠的第一反熔丝栅极，第二反熔丝结构包括与第五部分交叠的第二反熔丝栅极，选择晶体管包括与第三部分交叠的选择栅极；沿第二方向间隔排布的第一位线和第二位线，第一位线与第四部分电连接，第二位线与第二部分电连接。本公开实施例至少有利于降低反熔丝存储结构的布局面积。
主权项：1.一种反熔丝存储结构，其特征在于，包括：有源区，其中，所述有源区包括沿第一方向上依次排布的第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分；设置在所述有源区上的第一反熔丝结构、第二反熔丝结构和选择晶体管，其中，所述第一反熔丝结构包括与所述第一部分交叠的第一反熔丝栅极，所述第二反熔丝结构包括与所述第五部分交叠的第二反熔丝栅极，所述选择晶体管包括与所述第三部分交叠的选择栅极，所述第一反熔丝栅极、所述选择栅极和所述第二反熔丝栅极沿所述第一方向间隔排布；沿第二方向间隔排布的第一位线和第二位线，所述第一位线与所述第四部分电连接，所述第二位线与所述第二部分电连接，所述第一方向和所述第二方向相交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 反熔丝存储结构及其阵列结构及各自的操作方法、存储器
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