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微型光电子芯片及其制造方法与应用 

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申请/专利权人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

摘要:本发明公开了一种微型光电子芯片及其制造方法与应用。所述微型光电子芯片包括:半导体结构层,包括依次层叠在衬底上的第一掺杂半导体层、有源层和第二掺杂半导体层;分布在半导体结构层内的离子注入区,用于在半导体结构层内电学隔离出阵列排布的多个光电子芯片结构;隔离槽,开设在相应离子注入区内,并至少用于将任意两个相邻光电子芯片结构的第二掺杂半导体层相互隔离;挡光结构,设置在隔离槽内,至少用于阻止光通过第二掺杂半导体层在任意两个相邻光电子芯片结构之间传输。本发明可以有效消除微型光电子芯片阵列内的光串扰问题,使其具有优良的光电转换效率和显示效果。

主权项:1.一种微型光电子芯片,其特征在于,包括:衬底;设置在所述衬底上的半导体结构层,所述半导体结构层包括依次层叠在所述衬底上的第一掺杂半导体层、有源层和第二掺杂半导体层;分布在所述半导体结构层内的离子注入区和隔离槽,所述离子注入区用于在所述半导体结构层内电学隔离出阵列排布的多个光电子芯片结构;开设在所述离子注入区内的隔离槽,所述隔离槽至少用于将任意两个相邻光电子芯片结构的第二掺杂半导体层相互隔离;设置在所述隔离槽内的挡光结构,所述挡光结构至少用于阻止光通过所述第二掺杂半导体层在任意两个相邻光电子芯片结构之间传输。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 微型光电子芯片及其制造方法与应用

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