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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体装置，包含形成短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠；在短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠上方形成第一金属盖帽层，其中较长通道装置的第一金属盖帽层具有金属盖帽凹槽；在金属盖帽凹槽中形成第一介电盖帽层；移除短通道装置及较长通道装置的栅极堆叠及第一金属盖帽层的一部分；通过移除以在短通道装置中的间隔物之间形成第一通道凹槽且在较长通道装置中的间隔物与第一介电盖帽层之间形成第二通道凹槽；其中第一通道凹槽及第二通道凹槽中的每一者具有一宽度尺寸，且第一通道凹槽及第二通道凹槽的宽度尺寸之间的差值小于3nm。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一短通道装置，具有一栅极堆叠及小于一第一临限值长度的一通道长度；一较长通道装置，具有一栅极堆叠及大于一第二临限值长度的一通道长度，该第二临限值长度大于该第一临限值长度；一第一金属盖帽层，位于该短通道装置的该栅极堆叠及该较长通道装置的该栅极堆叠上方，其中该较长通道装置的该第一金属盖帽层在该第一金属盖帽层中具有一金属盖帽凹槽；一第一介电盖帽层，位于该较长通道装置中的该金属盖帽凹槽中；一第一通道凹槽及一第二通道凹槽，该第一通道凹槽位于该短通道装置中的多个间隔物之间，该第二通道凹槽位于该较长通道装置中的一间隔物与该第一介电盖帽层之间；其中该第一通道凹槽及该第二通道凹槽中的每一者具有一宽度尺寸，且该第一通道凹槽及该第二通道凹槽的该些宽度尺寸之间的一差值小于3纳米；一第二金属盖帽层，位于该短通道装置的该栅极堆叠及该第一金属盖帽层以及该较长通道装置的该栅极堆叠及该第一金属盖帽层上方；以及一第二介电盖帽层，位于该短通道装置的该第一通道凹槽中的该第二金属盖帽层及该较长通道装置的该第二通道凹槽中的该第二金属盖帽层上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置
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