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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种设置反型隔离结构的联合钝化背接触电池及其制备和应用，在N型半导体层的靠近硅片边缘的至少部分区域上开设第一反型隔离开口，在导电膜层的对应第一反型隔离开口的区域处开设第二反型隔离开口，且P型半导体层延伸至覆盖填充在第一反型隔离开口内，第二反型隔离开口和第一反型隔离开口及其对应覆盖的部分P型半导体层形成反型隔离结构。本发明能显著降低反向暗电流，提高并联电阻，提高电池转换效率，对电池组件热斑效应有改善，提升组件可靠性。
主权项：1.一种设置反型隔离结构的联合钝化背接触电池，包括硅片，在硅片背面沿Y轴方向交替设置并沿X轴方向延伸的N型半导体层和P型半导体层，以及铺设在N型半导体层和P型半导体层外表面的导电膜层，以及金属电极，其中，N型半导体层包含隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层，P型半导体层包含本征硅层和P型掺杂硅层，在Y轴方向上相邻的N型半导体层之间形成第二半导体开口区，所述P型半导体层位于第二半导体开口区内且其沿X轴对称的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的N型半导体层的部分背面外并位于导电膜层的下方，并在N型半导体层的背面开设不覆盖P型半导体层的第一半导体开口区，第一半导体开口区与第二半导体开口区间隔排列且它们之间的区域为交叠区，所述导电膜层的位于交叠区内的部分上开设沿X轴方向延伸的隔离槽；其特征在于，在N型半导体层的靠近硅片边缘的至少部分区域上开设第一反型隔离开口，在导电膜层的对应第一反型隔离开口的区域处开设第二反型隔离开口，第二反型隔离开口与隔离槽连通，第二反型隔离开口的宽度D2为第一反型隔离开口宽度D1的1.2-7倍，D2为100-1000μm，且P型半导体层延伸至覆盖填充在第一反型隔离开口内，第二反型隔离开口和第一反型隔离开口及其对应覆盖的部分P型半导体层形成反型隔离结构，反型隔离结构的中心轴线与硅片边缘之间的距离s为0.05-1mm；第一反型隔离开口内的P型半导体层不接入金属电极。
全文数据：
权利要求：
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