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申请/专利权人：晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
摘要：本发明公开了一种背接触太阳能电池的制备方法和背接触太阳能电池，该制备方法包括：在硅基体一侧由内至外依次形成第一隧穿氧化层、P型掺杂层及第一硅玻璃层；P型掺杂层包括设置在内层的P型掺杂多晶硅层以及外层的P型掺杂非晶硅层；利用激光工艺去除硅基体第一区域上的第一隧穿氧化层、P型掺杂层及第一硅玻璃层；在硅基体厚度方向一侧由内至外依次制备第二隧穿氧化层、N型掺杂层以及第二硅玻璃层；利用激光工艺去除第二区域的第二隧穿氧化层、N型掺杂层及第二硅玻璃层。该实施方式使第一硅玻璃层更易被去除干净，有效地提升制备的太阳能电池的性能。
主权项：1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤100，在硅基体1厚度方向一侧由内至外依次形成第一隧穿氧化层2、P型掺杂层3、以及第一硅玻璃层4；其中，所述P型掺杂层3为层叠设置的多层结构，包括设置在内层的P型掺杂多晶硅层31以及设置在外层的P型掺杂非晶硅层32，其中，所述P型掺杂多晶硅层31和所述P型掺杂非晶硅层32通过一次掺杂形成；步骤200，利用激光工艺去除所述硅基体1第一区域110上的第一隧穿氧化层2、P型掺杂层3以及第一硅玻璃层4；步骤300，在所述硅基体1厚度方向一侧由内至外依次制备第二隧穿氧化层5、N型掺杂层6、以及第二硅玻璃层7；步骤400，利用激光工艺去除所述硅基体1厚度方向一侧除所述第一区域110之外的第二区域120的第二隧穿氧化层5、N型掺杂层6以及第二硅玻璃层7。
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权利要求：
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