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申请/专利权人：电化株式会社
摘要：本发明涉及半导体晶片的制造方法。其包括：将临时固定粘接剂涂布于半导体晶片基材及或支承部件，将所述半导体晶片基材与所述支承部件粘接的步骤；通过照射波长350nm～450nm的光而使所述临时固定粘接剂固化，得到粘接体的步骤；和对所述粘接体照射波长355nm以上且小于385nm的激光，将所述半导体晶片基材剥离的步骤。
主权项：1.半导体晶片的制造方法，其包括：将临时固定粘接剂涂布于半导体晶片基材及或支承部件，将所述半导体晶片基材与所述支承部件粘接的步骤；通过照射波长350nm～450nm的光而使所述临时固定粘接剂固化，得到粘接体的步骤；和对所述粘接体照射波长355nm以上且小于385nm的激光，将所述半导体晶片基材剥离的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电化株式会社 半导体晶片的制造方法
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