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申请/专利权人：南开大学
摘要：一种具有发光层及界面协同钝化效果的585nm钙钛矿发光二极管结构及制备方法，通过引入有机阳离子配体PEA+及无机LiF界面钝化层，构建具有低缺陷态密度的准二维PEA‑CsPbBrxI1‑x3钙钛矿发光层材料及器件，形成多重量子阱结构，以增强钙钛矿材料的介电限域效应和激子结合能，实现高效的辐射复合，并钝化载流子传输层与有源层之间的缺陷态密度，降低界面复合，提高了发光量子产率，从而实现钙钛矿发光材料及LED器件关键参数和能量转换效率的提升。
主权项：1.一种具有发光层及界面协同钝化效果的585nm钙钛矿发光二极管结构及制备方法，包括以下三个部分：第一部分为为了制备能发出黄色光波段的钙钛矿LED器件，首先对发光层薄膜的材料进行卤素调节，将CsPbBr3溶液和CsPbI3溶液按照不同的比例调整发光层的带隙以及发光波长范围；第二部分为在发光层材料中引入PEA有机配体构建准二维PEA-CsPbBrxI1-x3材料，为了保持发光波长不变，需要保持PEABrxI3-x中卤素原子比例与原发光层相同；第三部分为在空穴传输层PEDOT:PSS与PEA-CsPbBrxI1-x3发光层之间及电子传输层TPBi与发光层PEA-CsPbBrxI1-x3之间同步引入LiF界面层，钝化界面缺陷，并构成完整的LED器件。其特征在于：具有低缺陷态密度的准二维PEA-CsPbBrxI1-x3钙钛矿发光层材料，可以形成多重量子阱结构，以增强钙钛矿材料的介电限域效应和激子结合能，实现高效的辐射复合；钝化了的空穴传输层与发光层之间的缺陷，减少了激子的猝灭现象，使载流子的运输效率得以提高，降低了器件的漏电流和开启电压；所述方法对于钙钛矿LED器件的电子传输路径上的界面缺陷问题具有显著改善作用，从而实现器件效率和稳定性的同步提升。
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百度查询： 南开大学 一种具有发光层及界面协同钝化效果的585nm钙钛矿发光二极管结构及制备方法
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