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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十研究所
摘要：本发明公开了一种大功率低插损移相电路拓扑结构，涉及射频通信技术领域，包括：输入匹配单元、输出匹配单元、可开关的主传输路径、分支传输路径以及可切换的加载线单元；所述输入匹配单元和输出匹配单元通过主传输路径连接；所述分支传输路径与主传输路径并联；所述加载线单元并联在分支传输路径上。本发明，能够适配无源相控阵架构，提高移相电路的功率容量和减小插损，实现在有限面积的前提下通过最小数量PIN二极管搭建大功率低插损移相电路，且不失一般性，同时可应用于任意位数、各频段的数控移相电路上。
主权项：1.一种大功率低插损移相电路拓扑结构，其特征在于，包括：输入匹配单元、输出匹配单元、可开关的主传输路径、分支传输路径以及可切换的加载线单元；所述输入匹配单元和输出匹配单元通过主传输路径连接；所述分支传输路径与主传输路径并联；所述加载线单元并联在分支传输路径上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十研究所 一种大功率低插损移相电路拓扑结构
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