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申请/专利权人：拓易(无锡)科技有限公司
摘要：本发明提供一种混合波导双台面结构电吸收调制激光器制造方法，使DFB与EAM具有混合波导双台面结构，混合波导双面台结构同时具备BH结构与Ridge结构的优点。DFB区域采用P‑Nblocking的双台面结构有利于降低漏电流、实现更高出光功率，EAM区域采用SIblocking的双台面结构有利于减小寄生电容实现更高调制速率。本发明能够提升EML激光器的整体性能，实现更高带宽、更宽工作温度等特性。
主权项：1.一种电吸收调制激光器芯片的制造方法，其特征在于：在衬底上：步骤1，生长DFB外延层；步骤2，将DFB区域由介质膜覆盖保护，刻蚀EAM区域；步骤3，生长EAM外延层；步骤4，制备DFB光栅；步骤5，制备第一MESA浅台面图案；步骤6，制备第一MESA浅台面；步骤7，生长P-Nblocking阻挡掩埋层；步骤8，制备第二MESA浅台面图案；步骤9，制备第二MESA浅台面；步骤10，生长SIblocking阻挡掩埋层；步骤11，生长波导上覆盖层与接触层；步骤12，制作Ridge波导台面结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓易(无锡)科技有限公司 一种混合波导双台面结构电吸收调制激光器芯片及其制造方法
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