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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明属于集成光子器件技术领域，更具体地，涉及一种基于Sc掺杂Ge‑Sb‑Te体系的相变光开关材料、器件及其制备方法。该相变光开关材料为ScxGe‑Sb‑Te1‑x，2％x20％。与Ge‑Sb‑Te体系相比，本发明的Sc掺杂Ge‑Sb‑Te体系的相变光开关材料非晶禁带宽度增大，消光系数k显著减小，且晶态和非晶态间具有更大的透过率差异。基于Sc掺杂Ge‑Sb‑Te体系的相变光开关器件，具有更大的开关比和更低的损耗。
主权项：1.一种基于Sc掺杂Ge-Sb-Te体系的相变光开关材料，其特征在于，化学通式为ScxGe-Sb-Te1-x，x代表Sc元素的原子百分比；其中，2％x20％；所述化学通式中Ge-Sb-Te为含有Ge、Sb、Te中一种或多种元素的硫系化合物，且该硫系化合物能够在光信号或电信号的作用下发生晶相和非晶相之间的可逆相变。
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百度查询： 华中科技大学 一种基于Sc掺杂Ge-Sb-Te体系的相变光开关材料、器件及其制备方法
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