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申请/专利权人:横店集团东磁股份有限公司
摘要:本发明公开了一种P型背接触电池及其制备方法、光伏组件,该P型背接触电池的制备方法包括:制备P型背接触电池的过程片;在第一表面侧和或第二表面侧形成吸杂结构;吸杂结构包括层叠设置的第二隧穿层、第二多晶硅层和第二磷硅玻璃层;对形成吸杂结构后的过程片进行刻蚀,以去除吸杂结构和第二表面侧的第一磷硅玻璃层;在过程片的第一表面侧和第二表面侧分别形成钝化层。本发明的技术方案,通过在P型背接触电池的过程片的第一表面侧和第二表面侧形成吸杂结构,吸收过程片第一表面侧和第二表面侧的杂质,减少由杂质形成的复合中心,提高载流子的传输率,提高P型背接触电池的转换效率。
主权项:1.一种P型背接触电池的制备方法,其特征在于,包括:制备P型背接触电池的过程片;所述过程片包括P型硅基衬底;所述P型硅基衬底包括相对的第一表面和第二表面;所述第二表面侧设置有依次层叠的第一隧穿层、第一多晶硅层、第一磷硅玻璃层、以及贯穿所述第一隧穿层、所述第一多晶硅层和所述第一磷硅玻璃层的沟槽;在所述第一表面侧和或所述第二表面侧形成吸杂结构;所述吸杂结构包括层叠设置的第二隧穿层、第二多晶硅层和第二磷硅玻璃层;对形成所述吸杂结构后的所述过程片进行刻蚀,以去除所述吸杂结构和所述第二表面侧的第一磷硅玻璃层;在所述过程片的第一表面侧和第二表面侧分别形成钝化层。
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